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VN0106N3-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVN0106N3-G
No. Parte Newark55AC4280
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.130 |
| 10+ | $1.040 |
| 25+ | $0.959 |
| 50+ | $0.904 |
| 100+ | $0.848 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.13
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVN0106N3-G
No. Parte Newark55AC4280
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id350
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.5
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-92
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
350
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.5
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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