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TP5335K1-G
MOSFET de Potencia, Canal P, 350 V, 85 mA, 30 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $0.509 |
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Múltiple: 3000
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteTP5335K1-G
No. Parte Newark80AH9060
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds350
Intensidad Drenador Continua Id85
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente30
Resistencia de Activación Rds(on)30ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4
Disipación de Potencia Pd360mW
Disipación de Potencia360
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
350
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
30
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
360mW
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
85
Resistencia de Activación Rds(on)
30ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4
Disipación de Potencia
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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