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TP2104N3-G
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteTP2104N3-G
No. Parte Newark53Y4271
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteTP2104N3-G
No. Parte Newark53Y4271
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id175
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia740
Disipación de Potencia Pd740mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
- Suitable for logic level interfaces (ideal for TTL and CMOS), solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc..
- High input impedance and high gain
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- Free from secondary breakdown
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
740
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
175
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
740mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto