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TN0606N3-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $0.848 |
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Múltiple: 1000
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteTN0606N3-G
No. Parte Newark53Y4234
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id500
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia1
Disipación de Potencia Pd1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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