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LND150N3-G
MOSFET Transistor, N Channel, 30 mA, 500
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteLND150N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark87X8932
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteLND150N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark87X8932
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id30mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1000ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)0V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia740mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1000ohm
Diseño de Transistor
TO-92
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
0V
Disipación de Potencia
740mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza LND150N3-G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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