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DN3525N8-G
MOSFET Transistor, N Channel, 360 mA, 250 V, 6 ohm RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteDN3525N8-G
No. Parte Newark87X8690
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id360mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6ohm
Diseño de TransistorSOT-89
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)0V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia1.6W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-89
Voltaje de Prueba Rds(on)
0V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
360mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DN3525N8-G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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