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DN2470K4-G
MOSFET, 700V, 0.17A, 150DEG C, 2.5W
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteDN2470K4-G
No. Parte Newark72AC5604
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.370 |
| 10+ | $1.290 |
| 25+ | $1.200 |
| 50+ | $1.200 |
| 100+ | $1.200 |
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteDN2470K4-G
No. Parte Newark72AC5604
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700V
Intensidad Drenador Continua Id170mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente42ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)0V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
0V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
170mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
42ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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