DN2450K4-G

El DN2450K4-G es un FET DMOS vertical en modo de agotamiento de canal N que utiliza una estructura avanzada de semiconductores de óxido metálico de difusión vertical (DMOS) y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares, más la impedancia de entrada alta y el coeficiente de temperatura positivo inherentes en los dispositivos de semiconductores de óxido de metal (MOS). Característico de todas las estructuras de MOS, este dispositivo está libre de desbordamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente. El transistor de efecto de campo (FET) DMOS de umbral bajo normalmente es ideal para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea un voltaje de umbral muy bajo, alto voltaje de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocida

• Baja resistencia de ENCENDIDO
• Libre de desglose secundario
• Fugas de entrada y salida bajas