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DS1245AB-70IND+
SRAM no Volátil (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, Lect./Escr. 70ns, Paralelo, 4.75V a 5.25V, EDIP-32
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FabricanteANALOG DEVICES
No. Parte FabricanteDS1245AB-70IND+
No. Parte Newark68AC5061
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $49.880 |
| 5+ | $47.910 |
| 10+ | $45.930 |
| 33+ | $45.030 |
| 55+ | $44.140 |
| 110+ | $43.320 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteANALOG DEVICES
No. Parte FabricanteDS1245AB-70IND+
No. Parte Newark68AC5061
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria1
Configuración de Memoria128K x 8bit
Organización de Memoria0
Tiempo de Acceso de Lectura70
Tiempo de Acceso de Escritura70
Tensión de Alimentación Mín.4.75
Tensión de Alimentación Máx.5.25
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIeDIP
No. de Pines32Pines
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
IC, MontajeThrough Hole
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
128K x 8bit
Tiempo de Acceso de Lectura
70
Tensión de Alimentación Mín.
4.75
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
32Pines
Interfaces
Parallel
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
1
Organización de Memoria
0
Tiempo de Acceso de Escritura
70
Tensión de Alimentación Máx.
5.25
Estuche / Paquete CI
eDIP
Tipo de Interfaz IC
0
IC, Montaje
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DS1245AB-70IND+
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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