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IXTT2N300P3HV
MOSFET de Potencia, Canal N, 3 kV, 2 A, 21 ohm, TO-268HV, Montaje Superficial
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTT2N300P3HVCopiar
No. Parte Newark03AH1828
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| Cantidad | Precio |
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| 1+ | $45.630 |
| 5+ | $43.080 |
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| 25+ | $39.740 |
| 50+ | $39.030 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTT2N300P3HVCopiar
No. Parte Newark03AH1828
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds3
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia de Activación Rds(on)21ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente21
Diseño de TransistorTO-268HV
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia520
Disipación de Potencia Pd520W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
3
Resistencia de Activación Rds(on)
21ohm
Diseño de Transistor
TO-268HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
520
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
21
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
520W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto