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IXTT12N150
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.5 kV, 12 A, 2.2 ohm, TO-268 (D3PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTT12N150Copiar
No. Parte Newark03AH1813
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.5
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.2
Resistencia de Activación Rds(on)2.2ohm
Diseño de TransistorTO-268 (D3PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd890W
Disipación de Potencia890
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.2
Diseño de Transistor
TO-268 (D3PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
890W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
2.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
890
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto