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IXTP3N100D2
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTP3N100D2
No. Parte Newark03AH1672
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.810 |
| 10+ | $4.250 |
| 25+ | $3.700 |
| 50+ | $3.130 |
| 100+ | $2.930 |
| 500+ | $2.670 |
| 1000+ | $2.300 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTP3N100D2
No. Parte Newark03AH1672
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia Pd125W
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia Pd
125W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65