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IXTP01N100D
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTP01N100D
No. Parte Newark03AH1606
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.500 |
| 25+ | $6.380 |
| 100+ | $4.250 |
| 250+ | $3.970 |
| 500+ | $3.680 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTP01N100D
No. Parte Newark03AH1606
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente50
Resistencia de Activación Rds(on)50ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd25W
Disipación de Potencia25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
50
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia Pd
25W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
400
Resistencia de Activación Rds(on)
50ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65