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IXTN600N04T2
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 600 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3.5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTN600N04T2
No. Parte Newark03AH1600
Rango de ProductoTrenchT2 GigaMOS Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $33.720 |
| 5+ | $29.350 |
| 10+ | $26.610 |
| 25+ | $25.700 |
| 50+ | $24.890 |
| 100+ | $24.470 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTN600N04T2
No. Parte Newark03AH1600
Rango de ProductoTrenchT2 GigaMOS Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id600
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Resistencia de Activación Rds(on)0.0013ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0013
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia940
Temperatura de Trabajo Máx.175
Disipación de Potencia Pd940W
Rango de ProductoTrenchT2 GigaMOS Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0013ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
940
Disipación de Potencia Pd
940W
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0013
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
TrenchT2 GigaMOS Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
