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IXTH80N075L2
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH80N075L2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark03AH1538
Rango de ProductoLinearL2 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $10.120 |
| 25+ | $8.550 |
| 50+ | $6.980 |
| 100+ | $6.470 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH80N075L2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark03AH1538
Rango de ProductoLinearL2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia357
Disipación de Potencia Pd357W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoLinearL2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Alternativas para el número de pieza IXTH80N075L2
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
Modo de mejora de canal N garantizado MOSFET de potencia LinearL2™ con clasificación de avalancha FBSOA con FBSOA extendido. Adecuado para uso en disyuntores de estado sólido, controles de arranque suave, amplificadores lineales, cargas programables y aplicaciones de reguladores de corriente.
- Diseñado para operación lineal
- FBSOA garantizado a 75°C
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
357
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
357W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
LinearL2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto