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IXTH75N10L2
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH75N10L2
No. Parte Newark03AH1534
Rango de ProductoLinearL2 Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 40 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $10.710 |
| 500+ | $9.390 |
Precio para:Cada
Mínimo: 300
Múltiple: 30
$3,213.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH75N10L2
No. Parte Newark03AH1534
Rango de ProductoLinearL2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id75
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia400
Disipación de Potencia Pd400W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoLinearL2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
MOSFET de modo de agotamiento de canal N adecuado para su uso en amplificadores de audio, circuitos de arranque, circuitos de protección, generadores de rampa, reguladores de corriente y aplicaciones de cargas activas.
- Modo normalmente encendido
- Los epóxicos de moldeo cumplen con la clasificación de inflamabilidad UL94V-0
- Fácil de montar con 1 tornillo (orificio de tornillo de montaje aislado)
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
400
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
400W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
LinearL2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65