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IXTH50P10
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH50P10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark03AH1520
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.940 |
| 10+ | $10.370 |
| 25+ | $8.810 |
| 50+ | $7.240 |
| 100+ | $6.680 |
| 250+ | $6.210 |
| 500+ | $6.090 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH50P10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark03AH1520
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
MOSFET de potencia estándar con clasificación de avalancha en modo de mejora de canal P adecuado para su uso en interruptores de lado alto, amplificadores push-pull, interruptores de CD, aplicaciones de equipos de prueba automáticos.
- Proceso HDMOS™ de bajo RDS (ON)
- Estructura de celda de puerta de polisilicio resistente
- Conmutación inductiva no sujeta (UIS) clasificada
- Baja inductancia del paquete (<lt/> 5nH) - fácil de manejar y proteger
- Fácil de montar con 1 tornillo (orificio de tornillo de montaje aislado)
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IXTH50P10
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto