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IXTH16N50D2
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 16 A, 0.3 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH16N50D2
No. Parte Newark03AH1473
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $16.630 |
| 5+ | $14.900 |
| 10+ | $13.180 |
| 25+ | $12.680 |
| 100+ | $12.170 |
| 500+ | $10.890 |
| 1000+ | $10.640 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH16N50D2
No. Parte Newark03AH1473
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia de Activación Rds(on)0.3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia Pd695W
Disipación de Potencia695
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.3ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia Pd
695W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia
695
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
