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IXTF1N450
MOSFET de Potencia, Canal N, 4.5 kV, 900 mA, 80 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTF1N450
No. Parte Newark25AJ5486
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $96.480 |
| 5+ | $91.070 |
| 10+ | $85.670 |
| 25+ | $80.270 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTF1N450
No. Parte Newark25AJ5486
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds4.5
Intensidad Drenador Continua Id900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente80
Resistencia de Activación Rds(on)80ohm
Diseño de TransistorISOPLUS i4-PAK
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6
Disipación de Potencia Pd160W
Disipación de Potencia160
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
80
Diseño de Transistor
ISOPLUS i4-PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
160W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
900
Resistencia de Activación Rds(on)
80ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6
Disipación de Potencia
160
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65