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IXTA3N50D2-DEL
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-263AA, Montaje Superficial
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FabricanteLITTELFUSE
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No. Parte Newark29AK0461
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTA3N50D2-DELCopiar
No. Parte Newark29AK0461
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Diseño de TransistorTO-263AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3
Diseño de Transistor
TO-263AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto