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IXTA3N100D2
MOSFET, 3A, 1KV, 125W, TO-263AA ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 57 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.580 |
| 25+ | $5.670 |
| 100+ | $3.990 |
| 250+ | $3.820 |
| 500+ | $3.640 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.58
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTA3N100D2
No. Parte Newark29AK0457
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6ohm
Diseño de TransistorTO-263AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)0V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Diseño de Transistor
TO-263AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
0V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65