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IXTA1N170DHV
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.7 kV, 1 A, 16 ohm, TO-263HV, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTA1N170DHV
No. Parte Newark03AH1260
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente16
Resistencia de Activación Rds(on)16ohm
Diseño de TransistorTO-263HV
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia Pd290W
Disipación de Potencia290
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
16
Diseño de Transistor
TO-263HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia Pd
290W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia de Activación Rds(on)
16ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia
290
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65