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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFY26N30X3
No. Parte Newark03AH1030
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.710 |
| 10+ | $4.120 |
| 25+ | $3.540 |
| 50+ | $2.950 |
| 100+ | $2.360 |
| 500+ | $2.160 |
| 1000+ | $2.100 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFY26N30X3
No. Parte Newark03AH1030
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id26
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente53
Resistencia de Activación Rds(on)0.053ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd170W
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
53
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
170W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
26
Resistencia de Activación Rds(on)
0.053ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie Clase-X3 HiPerFET
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto