Imprimir página
IXFT220N20X3HV
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-268HV, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFT220N20X3HV
No. Parte Newark03AH0933
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Su número de pieza
300 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $18.900 |
| 5+ | $17.300 |
| 10+ | $15.700 |
| 25+ | $14.100 |
| 50+ | $12.500 |
| 100+ | $12.200 |
| 250+ | $11.890 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$18.90
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFT220N20X3HV
No. Parte Newark03AH0933
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id220
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0052
Resistencia de Activación Rds(on)0.0052ohm
Diseño de TransistorTO-268HV
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia890
Disipación de Potencia Pd890W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
MOSFET de potencia HiPerFET™ de clase X3 con clasificación de avalancha en modo de mejora de canal N adecuado para su uso en convertidores de CD-CD, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, control de motores de CA y CD, circuitos PFC, aplicaciones de robótica y servocontroles.
- Bajo RDS (encendido) y QG
- Baja inductancia del paquete.
- Alta densidad de potencia
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0052
Diseño de Transistor
TO-268HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
890
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
220
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0052ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
890W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie Clase-X3 HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
