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IXFP56N30X3M
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFP56N30X3MCopiar
No. Parte Newark03AH0836
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFP56N30X3MCopiar
No. Parte Newark03AH0836
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id56
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia36
Disipación de Potencia Pd36W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie Clase-X3 HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
36
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
56
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
36W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie Clase-X3 HiPerFET
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
