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IXFN90N85X
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN90N85X
No. Parte Newark29AK0438
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN90N85X
No. Parte Newark29AK0438
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id90
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds850
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.041
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, robotics and servo controls application.
- X-Class HiPerFET™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
850
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.041
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5
Disipación de Potencia
1.2
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65