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IXFN38N100P
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN38N100PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark03AH0752
Rango de ProductoPolar/ HiperFET Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 300+ | $39.220 |
| 600+ | $38.440 |
| 900+ | $37.650 |
| 1500+ | $36.870 |
| 3000+ | $36.080 |
| 7500+ | $35.580 |
Precio para:Cada
Mínimo: 300
Múltiple: 300
$11,766.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN38N100PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark03AH0752
Rango de ProductoPolar/ HiperFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id38
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Resistencia de Activación Rds(on)0.21ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.21
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6.5
Disipación de Potencia1
Disipación de Potencia Pd1kW
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPolar/ HiperFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Rectificador intrínseco rápido de modo de mejora de canal N adecuado para su uso en convertidores CD-CD, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, control de motores de CA, aplicación de conmutación de potencia de alta velocidad.
- MOSFET de potencia Polar™ HiperFET™
- Baja resistencia de puerta intrínseca
- miniBLOC con aislamiento de nitruro de aluminio
- Baja inductancia del paquete.
- Bajo RDS (encendido) y QG
- Alta densidad de potencia
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia de Activación Rds(on)
0.21ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.21
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6.5
Disipación de Potencia Pd
1kW
Rango de Producto
Polar/ HiperFET Series
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IXFN38N100P
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
