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IXYB82N120C3H1
IGBT, 164 A, 2.75 V, 1.04 kW, 1.2 kV, TO-264AA, 3 Pines
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXYB82N120C3H1
No. Parte Newark02AC9851
Rango de ProductoXPT GenX3 Series
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| Cantidad | Precio |
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXYB82N120C3H1
No. Parte Newark02AC9851
Rango de ProductoXPT GenX3 Series
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua164
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.75
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.04
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-264AA
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de ProductoXPT GenX3 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
164
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.75
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Diseño de Transistor
TO-264AA
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
XPT GenX3 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
1.04
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
