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IXTY01N100D
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252, Montaje Superficial
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTY01N100DCopiar
No. Parte Newark71AH4598
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.710 |
| 10+ | $4.990 |
| 25+ | $4.270 |
| 50+ | $3.550 |
| 140+ | $2.830 |
| 280+ | $2.670 |
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTY01N100DCopiar
No. Parte Newark71AH4598
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id400
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente80
Diseño de TransistorTO-252
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia25
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Alternativas para el número de pieza IXTY01N100D
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia
25
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
80
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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