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IXTP4N65X2
MOSFET de Potencia, Clase-X2, Canal N, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP4N65X2
No. Parte Newark02AC9842
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| 50+ | $1.840 |
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP4N65X2
No. Parte Newark02AC9842
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85
Resistencia de Activación Rds(on)0.85ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2023)
Alternativas para el número de pieza IXTP4N65X2
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.85ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65