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IXTP12N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 12A, TO-220AB
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
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No. Parte Newark02AC9840
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP12N65X2Copiar
No. Parte Newark02AC9840
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia de Activación Rds(on)0.3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd180W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia180
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.3ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
180W
Disipación de Potencia
180
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
