Imprimir página
IXTK200N10P
MOSFET POT, CANAL N, 100V, 200A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTK200N10PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark58M7656
Su número de pieza
208 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $20.130 |
| 10+ | $16.490 |
| 25+ | $12.840 |
| 50+ | $11.900 |
| 100+ | $11.110 |
| 250+ | $10.960 |
| 500+ | $10.810 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$20.13
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTK200N10PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark58M7656
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0075ohm
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Disipación de Potencia Pd800W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia800
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXTK200N10P es un MOSFET de potencia estándar de modo de mejora de canal N único PolarHT™ que ofrece una baja resistencia a la activación de drenaje estático a la fuente y una alta densidad de potencia.
- Paquetes estándar internacionales
- Conmutación inductiva no sujeta (UIS) clasificada
- Inductancia de paquete baja - fácil de conducir y proteger
- Calificación de avalancha
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0075ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
800W
Disipación de Potencia
800
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7500µohm
Diseño de Transistor
TO-264
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
