Imprimir página
IXFR48N60P
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 32 A, 150 mohm, ISOPLUS-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFR48N60PCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 37AC0718 |
| Rango de Producto | PolarHV HiPerFET |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $25.200 |
| 10+ | $15.240 |
| 100+ | $15.220 |
| 500+ | $15.190 |
| 1000+ | $14.890 |
| 2500+ | $14.580 |
| 10000+ | $14.280 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$25.20
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFR48N60PCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 37AC0718 |
| Rango de Producto | PolarHV HiPerFET |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 32 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 150 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.15ohm |
| Diseño de Transistor | ISOPLUS-247 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 300W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 5 |
| Disipación de Potencia | 300 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | PolarHV HiPerFET |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (17-Jan-2023) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 150 |
| Diseño de Transistor | ISOPLUS-247 |
| Disipación de Potencia Pd | 300W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 5 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | PolarHV HiPerFET |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 32 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.15ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 300 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (17-Jan-2023) |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (17-Jan-2023) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |