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IXFQ28N60P3
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 28 A, 0.26 ohm, TO-3P, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFQ28N60P3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 02AC9819 |
| Rango de Producto | Polar3 HiPerFET |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.510 |
| 10+ | $7.310 |
| 100+ | $5.100 |
| 500+ | $4.700 |
| 1000+ | $4.070 |
| 2500+ | $3.990 |
| 10000+ | $3.950 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$9.51
nota de línea
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Información del producto
| Fabricante | IXYS SEMICONDUCTOR |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IXFQ28N60P3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 02AC9819 |
| Rango de Producto | Polar3 HiPerFET |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 28 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.26ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.26 |
| Diseño de Transistor | TO-3P |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 695W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 5 |
| Disipación de Potencia | 695 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | Polar3 HiPerFET |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (17-Jan-2023) |
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.26ohm |
| Diseño de Transistor | TO-3P |
| Disipación de Potencia Pd | 695W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 5 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | Polar3 HiPerFET |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 28 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.26 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 695 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (17-Jan-2023) |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (17-Jan-2023) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |