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IXFH30N50P
MOSFET de Potencia, PolarFET, Canal N, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH30N50PCopiar
No. Parte Newark58M7598
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.810 |
| 10+ | $10.920 |
| 25+ | $10.020 |
| 60+ | $9.140 |
| 120+ | $9.070 |
| 270+ | $9.010 |
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH30N50PCopiar
No. Parte Newark58M7598
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd460W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia460W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXFH30N50P es un MOSFET de potencia PolarHV™ de modo de mejora de canal N de 500 V con diodo intrínseco rápido (HiPerFET™) y RDS reducido (encendido). El MOSFET de potencia más popular de IXYS (HiPerFET™) es para aplicaciones tanto de conmutación dura como de modo resonante. Este MOSFET ofrece una carga de puerta baja y una resistencia excelente con un diodo intrínseco rápido.
- Conmutación inductiva no sujeta (UIS) clasificada
- La baja inductancia ofrece facilidad para conducir y proteger
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
460W
Disipación de Potencia
460W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IXFH30N50P
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
