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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFB30N120P
No. Parte Newark71AH4537
Rango de ProductoPolar HiPerFET
Hoja de datos técnicos
185 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $46.410 |
| 5+ | $43.030 |
| 10+ | $39.660 |
| 25+ | $36.280 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFB30N120P
No. Parte Newark71AH4537
Rango de ProductoPolar HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPLUS264
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.25kW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPolar HiPerFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35ohm
Diseño de Transistor
PLUS264
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
Polar HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6.5V
Disipación de Potencia
1.25kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto