IRLMS2002TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 6.5 A, 30 mohm, µSOIC, Montaje Superficial
Información del producto
Alternativas para el número de pieza IRLMS2002TRPBF
2 productos encontrados
Resumen del producto
El IRLMS2002TRPBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en aplicaciones de gestión de carga y batería. El paquete Micro6™ con su marco de plomo personalizado produce un MOSFET de potencia HEXFET®. Este paquete es ideal para aplicaciones en las que el espacio de la placa de circuito impreso es escaso. Su diseño térmico único y la reducción de RDS (ON) permiten un aumento del manejo de corriente de casi un 300%.
- Ultra baja resistencia de encendido
Especificaciones técnicas
Canal N
20
30
SOT-23
2W
1.2
6Pines
HEXFET
MSL 2 - 1 year
N Channel
6.5
0.03ohm
Surface Mount
4.5
2
150
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto