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IRFP7537PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 172 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP7537PBF
No. Parte Newark43X7228
También conocido comoSP001564970
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.090 |
| 10+ | $1.960 |
| 100+ | $1.830 |
| 800+ | $1.800 |
| 1200+ | $1.790 |
| 2800+ | $1.780 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.09
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP7537PBF
No. Parte Newark43X7228
También conocido comoSP001564970
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id172
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0033
Resistencia de Activación Rds(on)0.00275ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd230W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia230
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFP7537PBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® que ofrece resistencia mejorada de puerta, avalancha y dV/dt dinámico. Es adecuado para circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, inversores de CD a CA, convertidores de CD a CD y de CA a CD.
- Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS efectivo para simplificar el diseño
- Capacidad dV/dt y di/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0033
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
172
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00275ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
230W
Disipación de Potencia
230
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto