IRF7404TRPBF

El IRF7404TRPBF es un MOSFET de potencia de canal P único HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia de ENCENDIDO posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Se ha modificado a través de un marco de plomo personalizado para características térmicas mejoradas y capacidad de doble matriz que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, se pueden usar múltiples dispositivos en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido. El paquete está diseñado para técnicas de fase de vapor, infrarrojos u ondas de soldadura. La disipación de potencia de más de 0.8W es posible en una aplicación típica de montaje en PCB.

• Tecnología de generación V
• Clasificación dv/dt dinámica
• Conmutación rápida
• Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
• Calificación de avalancha completa