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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62C1024AL-35TLICopiar
No. Parte Newark43M5403
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62C1024AL-35TLICopiar
No. Parte Newark43M5403
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Tamaño de la Memoria1Mbit
Densidad de Memoria1Mbit
Configuración Memoria SRAM128K x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango4.5V to 5.5V
Configuración de Memoria128K x 8bit
Estuche / Paquete CITSOP
Memoria, TipoTSOP
No. de Pines32Pines
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tiempo de Acceso35ns
Tensión de Alimentación Máx.5.5V
Tensión de Alimentación Nom.5V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Densidad de Memoria
1Mbit
Tensión de Alimentación, Rango
4.5V to 5.5V
Estuche / Paquete CI
TSOP
No. de Pines
32Pines
Tiempo de Acceso
35ns
Tensión de Alimentación Nom.
5V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Configuración Memoria SRAM
128K x 8bit
Configuración de Memoria
128K x 8bit
Memoria, Tipo
TSOP
Tensión de Alimentación Mín.
4.5V
Tensión de Alimentación Máx.
5.5V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidad del producto