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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62C1024AL-35TLI
No. Parte Newark43M5403
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62C1024AL-35TLI
No. Parte Newark43M5403
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Tamaño de la Memoria1Mbit
Configuración Memoria SRAM128K x 8bit
Densidad de Memoria1Mbit
Tensión de Alimentación, Rango4.5V to 5.5V
Configuración de Memoria128K x 8bit
Memoria, TipoTSOP
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines32Pines
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tiempo de Acceso35ns
Tensión de Alimentación Máx.5.5V
Tensión de Alimentación Nom.5V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Configuración Memoria SRAM
128K x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango
4.5V to 5.5V
Memoria, Tipo
TSOP
No. de Pines
32Pines
Tiempo de Acceso
35ns
Tensión de Alimentación Nom.
5V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Densidad de Memoria
1Mbit
Configuración de Memoria
128K x 8bit
Estuche / Paquete CI
TSOP
Tensión de Alimentación Mín.
4.5V
Tensión de Alimentación Máx.
5.5V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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