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IS62C1024AL-35QLI
SRAM, 128K X 8, 5V, 35NS, 32SOP
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62C1024AL-35QLI
No. Parte Newark39T1310
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62C1024AL-35QLI
No. Parte Newark39T1310
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria1Mbit
Configuración Memoria SRAM0
Tensión de Alimentación, Rango0
Configuración de Memoria128K x 8bit
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CISOP
No. de Pines32Pines
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tensión de Alimentación Máx.5.5V
Tensión de Alimentación Nom.5V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Densidad de Memoria
1Mbit
Tensión de Alimentación, Rango
0
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
32Pines
Tensión de Alimentación Mín.
4.5V
Tensión de Alimentación Nom.
5V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
128K x 8bit
Estuche / Paquete CI
SOP
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Máx.
5.5V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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