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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS61LV25616AL-10TLICopiar
No. Parte Newark43M5225
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS61LV25616AL-10TLICopiar
No. Parte Newark43M5225
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria4Mbit
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Densidad de Memoria4
Configuración Memoria SRAM256K x 16bit
Tensión de Alimentación, Rango3.135V to 3.63V
Configuración de Memoria256K x 16bit
Memoria, TipoTSOP-II
Estuche / Paquete CITSOP-II
No. de Pines44Pines
Tiempo de Acceso10ns
Tensión de Alimentación Mín.3.135
Tensión de Alimentación Máx.3.63
Tensión de Alimentación Nom.3.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
4Mbit
Densidad de Memoria
4
Tensión de Alimentación, Rango
3.135V to 3.63V
Memoria, Tipo
TSOP-II
No. de Pines
44Pines
Tensión de Alimentación Mín.
3.135
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Configuración Memoria SRAM
256K x 16bit
Configuración de Memoria
256K x 16bit
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
Tiempo de Acceso
10ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.63
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto