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IS43R16160D-6TL-TR
SDRAM, 256MBIT, 166MHZ, TSOP-II-66
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43R16160D-6TL-TR
No. Parte Newark65AC6017
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS43R16160D-6TL-TR
No. Parte Newark65AC6017
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMDDR
Configuración Memoria DRAM0
Memoria, Tipo0
Densidad de DRAM0
Densidad de Memoria256Mbit
Configuración de Memoria16M x 16bit
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj166MHz
Tiempo de Acceso0
Estuche / Paquete CITSOP-II
No. de Pines66Pines
Tensión de Alimentación Nom.2.5V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
DDR
Memoria, Tipo
0
Densidad de Memoria
256Mbit
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
0
No. de Pines
66Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Configuración Memoria DRAM
0
Densidad de DRAM
0
Configuración de Memoria
16M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj
166MHz
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
Tensión de Alimentación Nom.
2.5V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
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