IS43QR16512A-083TBLI

IS43QR16512A-083TBLI 512Mx16 8Gbit DDR4 SDRAM es una memoria de acceso aleatorio dinámica de alta velocidad organizada internamente con ocho bancos (2 grupos de bancos cada uno con 4 bancos para x16 y 4 grupos de bancos cada uno con 4 bancos para x8). La SDRAM DDR4 utiliza una arquitectura de precarga de 8n para lograr un funcionamiento de alta velocidad. La arquitectura 8nprefetch se combina con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una sola operación de lectura o escritura para la SDRAM DDR4 consta de una única transferencia de datos de cuatro ciclos de reloj y 8n bits de ancho en el núcleo DRAM interno y ocho transferencias de datos correspondientes de medio ciclo de reloj y n bits de ancho en los pines de E/S. La operación comienza con el registro de un comando ACTIVATE, al que luego sigue un comando de lectura o escritura.

• El voltaje estándar es VDD = VDDQ = 1.2V, VPP = 2.5V
• Velocidades de transferencia de datos de alta velocidad con una frecuencia del sistema de hasta 2933Mbps
• Integridad de datos, actualización automática (ASR) mediante TS integrado en DRAM, modos de actualización automática y actualización automática
• Ancho de banda de acceso a DRAM, estructuras de control de E/S separadas por grupos de bancos, cancelación de actualización automática
• Sincronización de señal, nivelación de escritura a través de configuraciones MR, nivelación de lectura a través de MPR
• Fiabilidad y manejo de errores, paridad de comandos/direcciones, escritura de bus de datos CRC
• Integridad de la señal, entrenamiento interno VREFDQ, entrenamiento de lectura del preámbulo, modo de tren de aterrizaje reducido
• Ahorro de energía y eficiencia, POD con terminación VDDQ, latencia de comando/dirección (CAL)
• Paquete FBGA de 96 bolas
• Rango de clasificación de temperatura industrial de -40 °C a +95 °C