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IS42S16160J-7TLI
DRAM, 16M x 16bit, 5.4ns, Interfaz LVTTL, TSOP-II-24
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16160J-7TLI
No. Parte Newark52Y1983
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16160J-7TLI
No. Parte Newark52Y1983
Hoja de datos técnicos
Configuración Memoria DRAM16M x 16bit
Tipo de DRAMSDR
Densidad de DRAM256Mbit
Memoria, TipoTSOP-II
Densidad de Memoria256
Configuración de Memoria16M x 16bit
Frecuencia de Reloj143MHz
Tipo de Interfaz ICLVTTL
Frecuencia Max de Reloj143
Estuche / Paquete CITSOP-II
Tiempo de Acceso5.4ns
No. de Pines54Pines
Tensión de Alimentación Nom.3.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración Memoria DRAM
16M x 16bit
Densidad de DRAM
256Mbit
Densidad de Memoria
256
Frecuencia de Reloj
143MHz
Frecuencia Max de Reloj
143
Tiempo de Acceso
5.4ns
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tipo de DRAM
SDR
Memoria, Tipo
TSOP-II
Configuración de Memoria
16M x 16bit
Tipo de Interfaz IC
LVTTL
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
No. de Pines
54Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto