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SPW35N60CFDFKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 34.1 A, 0.118 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPW35N60CFDFKSA1
No. Parte Newark98K0742
También conocido comoSPW35N60CFD, SP000065487
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.400 |
| 10+ | $8.160 |
| 25+ | $5.970 |
| 50+ | $5.710 |
| 100+ | $5.470 |
| 480+ | $5.200 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPW35N60CFDFKSA1
No. Parte Newark98K0742
También conocido comoSPW35N60CFD, SP000065487
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id34.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.118
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd313W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia313
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The SPW35N60CFD is a 600V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V CoolMOS™ CFD combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. It has outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness. It is suitable for server, telecom, PC power, solar, phase-shift ZVS, DC-to-AC power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Intrinsic fast-recovery body diode
- Periodic avalanche rated
- Extreme low reverse recovery charge
- High peak current capability
- Improved efficiency
- More efficient, more compact, lighter and cooler
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
34.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.118
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
313W
Disipación de Potencia
313
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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