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SPW32N50C3FKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPW32N50C3FKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark98K0741
También conocido comoSPW32N50C3, SP000014625
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Disponible para pedido
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.660 |
| 10+ | $9.630 |
| 25+ | $9.070 |
| 50+ | $8.530 |
| 100+ | $7.970 |
| 480+ | $7.460 |
| 720+ | $6.940 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.66
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPW32N50C3FKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark98K0741
También conocido comoSPW32N50C3, SP000014625
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id32
Resistencia de Activación Rds(on)0.09ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd284W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia284
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The SPW32N50C3 is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET comes with a new revolutionary high voltage technology. It offers ultra-low gate charge and ultra-low effective capacitances. The 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the “working horse" of the portfolio.
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @ 400V
- Low gate charge (Qg)
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- High reliability
- Ease of use
- Periodic avalanche rated
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.09ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
32
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.11
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
284W
Disipación de Potencia
284
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto