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SPW16N50C3FKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 560 V, 16 A, 0.28 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPW16N50C3FKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark33P8231
También conocido comoSPW16N50C3, SP000014472
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.520 |
| 10+ | $4.330 |
| 25+ | $2.510 |
| 50+ | $2.300 |
| 100+ | $2.070 |
| 480+ | $2.060 |
| 720+ | $1.650 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPW16N50C3FKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark33P8231
También conocido comoSPW16N50C3, SP000014472
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds560
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia de Activación Rds(on)0.25ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.28
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd160W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia160
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPW16N50C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ que viene con una nueva y revolucionaria tecnología de alto voltaje. Ofrece carga de puerta ultrabaja y capacitancias efectivas ultrabajas. El CoolMOS™ C3 de 500 V es la tercera serie de CoolMOS™ de Infineon que entró en el mercado en 2001. C3 es el "caballo de trabajo" de la cartera.
- Baja resistencia específica en estado ON
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Baja carga de compuerta (Qg)
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Alta confiabilidad
- Fácil de usar
- Clasificado avalancha periódica
- Extremo dV/dt clasificado
- Transconductancia mejorada
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Dispositivo verde
Notas
El reemplazo para 500V CoolMOS™ C3 es 500V CoolMOS™ CE.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.28
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
160W
Disipación de Potencia
160
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
560
Resistencia de Activación Rds(on)
0.25ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto