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SPD18P06PGBTMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD18P06PGBTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark47W3761
También conocido comoSPD18P06P G, SP000443926
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| 500+ | $0.582 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD18P06PGBTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark47W3761
También conocido comoSPD18P06P G, SP000443926
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id18.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.13
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SPD18P06P G es un MOSFET de potencia de canal P de -60V que cumple constantemente con las más altas exigencias de calidad y rendimiento en especificaciones clave para el diseño de sistemas de potencia, como resistencia en estado y características de figura de mérito.
- Modo mejorado
- Avalancha clasificada
- Clasificado dv/dt
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
18.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.13
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
80W
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto