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SPD09P06PLGBTMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 9.7 A, 400 mohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD09P06PLGBTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6353
Re-reeling (Rollos a medida)50Y7848RL
Cinta adhesiva50Y7848
También conocido comoSPD09P06PL G, SP000443928
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.570 | $7.85 |
| Total Precio | $7.85 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.570 |
| 10+ | $0.990 |
| 15+ | $0.906 |
| 25+ | $0.822 |
| 50+ | $0.738 |
| 125+ | $0.656 |
| 250+ | $0.643 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.658 |
| 5000+ | $0.590 |
| 7500+ | $0.510 |
| 12500+ | $0.500 |
| 25000+ | $0.490 |
| 62500+ | $0.479 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD09P06PLGBTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6353
Re-reeling (Rollos a medida)50Y7848RL
Cinta adhesiva50Y7848
También conocido comoSPD09P06PL G, SP000443928
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id9.7A
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente400
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd42W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia42W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The SPD09P06PL G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC Q101
- Logic level
- dV/dt Rated
- Qualified according to AEC-Q101
- Green device
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
9.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
400
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
42W
Disipación de Potencia
42W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza SPD09P06PLGBTMA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto